RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
71
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
42
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2074
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link