RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
42
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2001
2591
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR5030EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link