RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
76
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.4
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
76
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
1260
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link