RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
1997
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link