RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
39
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2782
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link