RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
36
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2381
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link