RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
26
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2955
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link