Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    43 left arrow 73
    Wokół strony 41% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 9.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.2 left arrow 14.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 12800
    Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    43 left arrow 73
  • Prędkość odczytu, GB/s
    14.9 left arrow 15.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    9.6 left arrow 9.1
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2506 left arrow 1843
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania