RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
59
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3255
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link