Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    69 left arrow 76
    Wokół strony 9% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 13.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    6.4 left arrow 1,857.7
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 6400
    Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    69 left arrow 76
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,217.2 left arrow 13.6
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,857.7 left arrow 6.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    668 left arrow 1624
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania