RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
69
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
53
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2310
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link