RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
58
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2110
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link