RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
81
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
81
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1634
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link