RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
77
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
77
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1549
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link