RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
77
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2574
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO8GX3M2C1600C11 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link