RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3844
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link