RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
36
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2928
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link