RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
53
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
53
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3020
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link