RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2808
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link