Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.9 left arrow 11.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    31 left arrow 42
    Wokół strony -35% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.8 left arrow 8.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 12800
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    42 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.9 left arrow 11.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 8.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2150 left arrow 2371
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania