RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3311
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Elpida EBJ20UF8BCS0-DJ-F 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link