RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2275
3669
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link