RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
72
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
72
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1731
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link