RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3233
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link