RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
49
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
10.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
19
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2465
3543
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link