RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
52
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
4053
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link