RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
3606
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link