RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
3337
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link