RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3726
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link