RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2984
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link