RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
58
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
58
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1998
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link