RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
104
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
44
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2191
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link