RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
73
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2765
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link