RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Porównaj
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.4
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2660
2898
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link