RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2169
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link