RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Porównaj
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2077
3351
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link