RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
70
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
70
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2061
1971
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link