RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
65
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
65
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2058
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link