RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
67
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
67
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2030
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link