RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
48
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2236
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMN1740EF48D8F-800 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link