RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3367
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link