RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3519
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link