RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
27
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
3672
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link