RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
2068
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Jinyu 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link