RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
63
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3222
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link