RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
63
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
3925
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link