RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
63
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
49
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2534
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link