RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
50
Wokół strony -138% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2930
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link