RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
94
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5.6
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.9
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
94
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
1334
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link