RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
87
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3075
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link